IRFH5220 Транзистор MOSFET N канальный 200V 3.8A 7.4ns 3.6W SO-8

IRFH5220 MOSFET Наименование прибора: IRFH5220 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 5 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 20 nC trⓘ – Время нарастания: 4.7 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 100 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0999 Ohm Тип корпуса: PQFN5X6