IRFH5306 Транзистор MOSFET N канальный 30V 15A 26ns 3.6W SO-8

IRFH5306 MOSFET Наименование прибора: IRFH5306 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 2.35 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 7.8 nC trⓘ – Время нарастания: 26 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 230 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm Тип корпуса: PQFN5X6