IRFI830G Транзистор MOSFET N канальный 500V 3.1V 16ns 35W TO-220FP

Наименование прибора: IRFI830G Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 38(max) nC Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm Тип корпуса: ТО220F