IRFIB7N50 Транзистор MOSFET N канальный 500V 6.6A 35ns 60W TO-220FP

IRFIB7N50A MOSFET Наименование прибора: IRFIB7N50A Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 52(max) nC trⓘ – Время нарастания: 35 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 208 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm Тип корпуса: TO220FP