IRFL210TRPBF Транзистор MOSFET N канальный 200V 1A 17ns 3.1W SOT-223

IRFL210TRPBF MOSFET Наименование прибора: IRFL210TRPBF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 8.2(max) nC trⓘ – Время нарастания: 17 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 53 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm Тип корпуса: SOT-223