IRFP054N MOSFET Наименование прибора: IRFP054N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 130(max) nC trⓘ – Время нарастания: 66 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 880 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm Тип корпуса: ТО247АС
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
IRFP054N Транзистор MOSFET канальный N 55V 81A 66ns 170W TO-247
1 100,00 ₸