IRFP150N Транзистор MOSFET N канальный 100V 39A 56ns 160W TO-247

IRFP150N MOSFET Наименование прибора: IRFP150N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 110(max) nC Время нарастания (tr): 56 ns Выходная емкость (Cd): 450 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm Тип корпуса: TO-247