IRFP4710 MOSFET Наименование прибора: IRFP4710 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 5.5 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 110 nC trⓘ – Время нарастания: 130 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 440 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm Тип корпуса: ТО247
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
IRFP4710= 128N15 Транзистор MOSFET N канальный 100V 72A 130ns 190W TO-247
2 000,00 ₸