IRFP90N20 Транзистор MOSFET N канальный 200V 94A 160ns 580W TO- 247

IRFP90N20D MOSFET Наименование прибора: IRFP90N20D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 580 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 94 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Время нарастания (tr): 160 ns Выходная емкость (Cd): 1070 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm Тип корпуса: TO 247