Наименование прибора: IRFR120N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 25(max) nC Время нарастания (tr): 23 ns Выходная емкость (Cd): 92 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.21 Ohm Тип корпуса: ТО252
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
IRFR120N Транзистор MOSFET N канальный 100V 9.4A 23ns 48W TO-252
250,00 ₸