IRL640SPBF Транзистор MOSFET N канал 200V 17A 3.1W 83ns 125W TO-223

IRL640SPBF MOSFET Наименование прибора: IRL640SPBF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 83 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 400 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm Тип корпуса: D2PACK