IRLB31N20 Транзистор MOSFET N канал 200V 31A 200 W 70 nCTO-220

IRFB31N20D MOSFET Наименование прибора: IRFB31N20D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Время нарастания (tr): 38 ns Выходная емкость (Cd): 390 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.082 Ohm Тип корпуса: ТО220АВ Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29