Наименование прибора: IRLL014N Маркировка: LL014N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC Время нарастания (tr): 4.9 ns Выходная емкость (Cd): 66 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm Тип корпуса: SOT223
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
IRLL014NTRPBF Транзистор MOSFET N канальный 60V 2.7A 110ns 2.5W SOT-223
250,00 ₸