MJD117G ONS Транзистор PNP DARL 100V 2A 25MHZ 20W TO-252

Биполярный транзистор MJD117G Наименование производителя: MJD117G Маркировка: J117G Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000 Корпус транзистора: ТО252