PM75RL1A120 Диодный модуль IGBT 1200V 75A (3-фазы)

PM75RL1A120#350G, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия – описание Производитель: Mitsubishi Заводская упаковка: коробка по 4 шт. Характеристики Производитель Mitsubishi Макс.напр.к-э,В 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.55 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75 Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM Максимальная частота модуляции,кГц 20 Мощность привода, кВт 15 Драйвер управления встроенный Защита по току нет Защита от короткого замыкания есть Защита от перегрева есть Защита от пониженного напряжения питания есть Максимальный ток эмиттера, А 150 Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 1000 Напряжение изоляции, В 2500 Интеллектуальные силовые IPM модули – улучшенные гибридные силовые приборы, которые сочетают в себе быстродействие и высокий КПД IGBT транзисторов, коптимизированные управляющие драйверы и схемы защиты. Применение улучшенных токовых датчиков в схемах защиты по току и КЗ позволяет проводить непрерывный мониторинг работы устройства, тем самым повышая надежность эксплуатации. В IPM модулях имеет также и защита по температуре и по пониженному напряжению. Высокая степень интеграции IPM позволяет создавать компактные и недорогие изделия. Сигнальный интерфейс связи с IPM модулем должен иметь гальваническую развязку. Для этого обычно применяют оптроны, хотя возможно и применение оптоволоконной связи или импульсных трансформаторов. Логика управления отрицательная, т.е. активный сигнал на входе равнее 0.