Маркировка: 20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 780 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm Тип корпуса: TO247
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
SPW20N60C3 Транзистор MOSFET N канальный 600V 20A 208W TO247
3 000,00 ₸