STP80NF70 MOSFET Наименование прибора: STP80NF70 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 98 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 75 nC Время нарастания (tr): 60 ns Выходная емкость (Cd): 550 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0098 Ohm Тип корпуса: TO-220AB
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
STP80NF70 Транзистор N канальный 70V 98A TO-220
600,00 ₸