STW20NM65N Транзистор MOSFET N канальный 650V 19A 10ns 160W TO-247

STW20NM65N MOSFET Наименование прибора: STW20NM65N Маркировка: 20NM65N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 70 nC trⓘ – Время нарастания: 10 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 120 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm Тип корпуса: TO-247