Микросхема NGD8201 IGBT N канальный 440V 20A 125W TO-252

NGD8201A Наименование: NGD8201A Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 440 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 15 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.15 Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 2.1 Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175 Время нарастания типовое (tr), nS: 6000 Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 80