FQP13N10 Транзистор MOSFET N канальный 100V 12.8A 65W TO-220

FQP13N10 MOSFET Наименование прибора: FQP13N10 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.8 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm Тип корпуса: TO-220